生产碳化硅微份设备要那些生产碳化硅微份设备要那些生产碳化硅微份设备要那些

2023-06-20T18:06:29+00:00

技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

2020年12月2日控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。碳化硅外延技术进展情况：在低、中压领域，目前外延片核心 2020年10月21日以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做气流磨生产效率较高，生产能力较小，工艺简单，但难以生产5μm以下的微粉，喷嘴极易磨损，设备投资大。而辊式磨机具有处理量大，工作可调，产品粒度便于调节，等优点被作碳化硅微粉的应用与生产方法百度文库

碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪！投资不易，同志仍需

2022年1月4日碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪！投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度 2021年6月11日 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工工序，获得可以满足晶体生长要求的第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎2021年12月24日如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎

碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎

2022年3月7日 1、长晶长晶环节中，和单晶硅使用的提拉法工艺制备不同，碳化硅主要采用物理气相输运法（PVT，也称为改良的Lely法或籽晶升华法），高温化学气相沉积 2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 2020年7月20日碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法碳化硅的制备方法

技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

2020年12月2日 1材料的性能，即物理性能：禁带宽度大、饱和电子飘移速度高、存在高速二维电子气、击穿场强高。这些材料特性将会影响到后面器件的性能。 2 器件性能：耐高温、开关速度快、导通电阻低、耐高压。优于普通硅材料的特性。反映在电子电气系统和器件产品中。 3 系统性能：体积小、重量轻、高能效、驱动力强。碳化硅的耐高压能力是硅 2020年10月21日主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。主要技术难点：高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉料合成坩埚加热与耦合技术。国内外主要厂商：Cree,Aymont,中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做 2021年6月11日手动自动探针台、激光开封机、IV曲线仪，整套芯片测试方案。 14 人赞同了该文章 [摘要] 第三代半导体材料碳化硅 (SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点，以耐高温、高压、高频著称，在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。本文详细论述了第三代半导体材料第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月22日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半导体最常用的材料，起源于 20 世纪 50 年代，奠定了微电子产业的基础。 2) 第二代化合 2022年12月15日随着越来越多碳化硅衬底项目开出，包括北方华创、晶升装备、连城数控、恒普科技等设备厂商都从中看到了机会，并陆续推出国产碳化硅长晶炉设备。北方华创曾在2021年度业绩说明会上表示，碳化硅长晶设备订单饱满，预计今年出货将超500台。天岳先进也在投资者互动问答中表示，公司目前长晶炉已基本实现国产替代，其中热场设计产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻2022年5月13日碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。 51碳化硅高纯粉料碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、一张图了解第三代半导体材料——碳化硅百家号

本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！知乎专栏

2021年10月15日 01 已有产线（排名不分先后）泰科天润泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。据泰科天润近日发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出货。泰科天润湖南项目位于湖南浏阳经 2023年1月3日外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。由于新生单晶层按衬底晶相延伸生长，从而被称之为外延层（厚度通常为几微米，以硅为例：硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎2023年6月12日格隆汇6月12日丨民德电子(SZ)接受机构调研、召开线上会议，问答交流环节中，就“公司的碳化硅产品产能是如何规划的？公司回复称，碳化硅器件也是基于供应链自主可控的战略进行布局的，公司在碳化硅领域已投资布局包括外延生产、晶圆代工、超薄背道代工、芯片设计等关键环节。民德电子(SZ)：目前广芯微电子碳化硅产品线产能

2022行业观察丨碳化硅大跨步：扩产旺盛有望搅动格局产业

2023年1月18日 2021年末，其收购碳化硅生产商GTAT后，已经实现从碳化硅衬底到封装的全产业链能力覆盖。东吴证券就指出，随着安森美转变策略all in碳化硅，积极扩产并垂直整合产业链，覆盖第三代半导体全制造，测算预计安森美20242025年有望在全球碳化硅器件市场实现超20%的市场份额。2021年12月24日如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效率提高很多，但也发现了大量问题，在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎2022年3月22日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半导体最常用的材料，起源于 20 世纪 50 年代，奠定了微电子产业的基础。 2) 第二代化合碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片

2021年7月3日 1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率； 2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的 10 倍，而且效率不随着频率的升高而降低，可以降低能量损耗； 3、能在更高的温度下运行，同时 2022年5月10日碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。 51 碳化硅高纯粉料碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、第三代半导体材料——碳化硅中国粉体网2023年1月3日外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。由于新生单晶层按衬底晶相延伸生长，从而被称之为外延层（厚度通常为几微米，以硅为例：硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

200目碳化硅粉知乎

2021年6月14日 200目碳化硅粉：碳化硅是以硅石和无烟煤或石油焦为主要原料在高温电阻炉里冶炼形成，呈黑色或绿色。它的特点是脆而锋利，具有高温热稳定性、高热传导性、耐酸碱腐蚀性、低膨胀系数、抗热震好等一系列的优良性能。太阳能晶硅片切割专用刃料是碳化硅原料经过破碎、分级等一系列加工工序后形成的具有特定粒径范围和特定形态的精 2023年6月12日格隆汇6月12日丨民德电子(SZ)接受机构调研、召开线上会议，问答交流环节中，就“公司的碳化硅产品产能是如何规划的？公司回复称，碳化硅器件也是基于供应链自主可控的战略进行布局的，公司在碳化硅领域已投资布局包括外延生产、晶圆代工、超薄背道代工、芯片设计等关键环节。民德电子(SZ)：目前广芯微电子碳化硅产品线产能 2021年3月11日电动汽车内有大量噪声敏感的电子设备，不良的电磁兼容设计往往对其他车载电子设备的造成干扰甚至是误操作，给汽车留下较大的安全隐患。对SiC器件引起的电磁干扰的产生机理和抑制方法上进行深入研究，才能有效提高电动汽车的电磁兼容性能。2碳化硅（SiC）功率器件在电动汽车领域一决胜负及优缺点知乎

碳化硅/氮化镓新赛道已经开启哪些标的值得关注？氮化镓

2022年1月5日最近半年在各大券商的电子行业调研会中，讨论最多的是第三代半导体材料，碳化硅、氮化镓成为市场聚焦的新赛道。简单来说，第三代 2023年1月18日 2021年末，其收购碳化硅生产商GTAT后，已经实现从碳化硅衬底到封装的全产业链能力覆盖。东吴证券就指出，随着安森美转变策略all in碳化硅，积极扩产并垂直整合产业链，覆盖第三代半导体全制造，测算预计安森美20242025年有望在全球碳化硅器件市场实现超20%的市场份额。2022行业观察丨碳化硅大跨步：扩产旺盛有望搅动格局产业